Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 0.9 A 81 W, 3-Pin BSS169H6327XTSA1 SOT-23

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RS Best.-Nr.:
250-0551
Herst. Teile-Nr.:
BSS169H6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

BSS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-500

Der N-Kanal-MOSFET-Transistor im Depletion-Modus von Infineon wird häufig in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eingesetzt. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Es handelt sich um einen SIPMOS-Small-Signal-Transistor, der für dv /dt ausgelegt und mit V GS(th)-Anzeige auf der Spule erhältlich ist.

VDS ist 100 V, Rds(on), Max. 12 W und IDSS, Min. 0,09 A

Maximale Verlustleistung ist 360 mW

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