Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 40 A 52 W, 8-Pin PQFN

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Herst. Teile-Nr.:
BSZ034N04LSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 40 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ034N04LSATMA1


Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Schalttransistor, der für die Leistungsumwandlung und Hochstromanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für kompakte, auf der Leiterplatte montierte Designs vorgesehen, bei denen geringe Leitungsverluste und schnelles Schalten erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 4.6 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 40 A unterstützt schwere Lasten
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Mittelspannungsstufen
• Eine typische Gate-Ladung von 25 nC sorgt für eine schnellere Schaltreaktion
• Die Verlustleistung von 52 W ermöglicht eine erhebliche Wärmemanagement
• Gate-Source-Grenzwert von 20 V schützt vor übermäßigen Antriebsspannungen

Anwendungsbereich


• Geeignet für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorantriebs-Halbbrückenschaltkreisen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-Lastpunktmodule

Welchen Montageansatz erfordert es auf einer Platine?


Er wird in einem oberflächenmontierten PQFN-Gehäuse geliefert, das für die Befestigung von gelöteten Leiterplatten und die Wärmeleitung durch das Gehäuse-Landmuster ausgelegt ist.

Wie wirkt sich sein thermischer Bereich auf den Einsatz aus?


Ausgelegt für einen Temperaturbereich von -55 bis 150 °C, kann es in Umgebungen mit extremen Umgebungs- und erhöhten Sperrschichttemperaturen eingesetzt werden, vorbehaltlich eines geeigneten thermischen Designs.

Welche Gate-Antriebsaspekte gelten für die Schaltleistung?


Mit einer typischen Gate-Ladung von 25 nC sollten die Entwickler genügend Gate-Drive-Strom liefern, um gezielte Übergangsgeschwindigkeiten zu erreichen und gleichzeitig EMI zu bewältigen.

Ist er für den Betrieb im Enhancement-Modus konfiguriert?


Das Gerät verwendet einen N-Kanal-Leitungsmodus, der für Low-Side- und High-Side-Konfigurationen geeignet ist, wenn es mit geeigneten Gate-Antrieben und Pegelverschiebungen gepaart ist.

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