Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 40 A 69 W, 8-Pin PQFN

Dieser MOSFET ist ein kompakter N-Kanal-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Hochstrom-Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und wurde für geringe Leitungsverluste und effizientes Schalten in Systemen entwickelt, die eine robuste Drain-Source-Leistung und eine moderate Gate-Ansteuerung erfordern. Das Gerät eignet sich für Leistungsstufen auf Leiterplattenebene, bei denen eine geringe Grundfläche und PQFN-Montage erforderlich sind.

• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 9.4 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Hoher Nenndauerstrom von 40 A unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• Die Drain-Source-Nennspannung von 80 V ermöglicht Designs mit höherer Spannung
• Die typische Gate-Ladung von 14,1 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Die maximale Verlustleistung von 69 W hilft bei der Bewältigung der thermischen Belastung

• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenstufen auf kompakten Leiterplatten
• Einsatz mit Batteriemanagement-Schaltkreisen in Systemen mit höherer Spannung
• Kann für Telekommunikations- und Server-Stromschienen verwendet werden, die hohe Stromstärken erfordern

Das Gerät darf nicht über ein Gate-Source-Potential von 20 V hinaus betrieben werden, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden.

Die Dauerstromfähigkeit ist unter Standardbedingungen angegeben, aber der Betrieb über den Wärmebereich des Geräts erfordert ein Wärmemanagement, da sich die Verlustleistung 69 W nähert.

Es verwendet ein 8-poliges PQFN-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit einer kompakten Grundfläche von 3,4 x 3,4 mm, die ein geeignetes Erdungsmuster und thermische Leitungen für die Wärmeausbreitung erfordert.

Die Komponente ist für den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen von -55 °C bis 150 °C ausgelegt.