Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 40 A 52 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 214-4338
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ034N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- BSZ034N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.4mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.4mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 40 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ034N04LSATMA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Schalttransistor, der für die Leistungsumwandlung und Hochstromanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für kompakte, auf der Leiterplatte montierte Designs vorgesehen, bei denen geringe Leitungsverluste und schnelles Schalten erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 4.6 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 40 A unterstützt schwere Lasten
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Mittelspannungsstufen
• Eine typische Gate-Ladung von 25 nC sorgt für eine schnellere Schaltreaktion
• Die Verlustleistung von 52 W ermöglicht eine erhebliche Wärmemanagement
• Gate-Source-Grenzwert von 20 V schützt vor übermäßigen Antriebsspannungen
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 40 A unterstützt schwere Lasten
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Mittelspannungsstufen
• Eine typische Gate-Ladung von 25 nC sorgt für eine schnellere Schaltreaktion
• Die Verlustleistung von 52 W ermöglicht eine erhebliche Wärmemanagement
• Gate-Source-Grenzwert von 20 V schützt vor übermäßigen Antriebsspannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorantriebs-Halbbrückenschaltkreisen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-Lastpunktmodule
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorantriebs-Halbbrückenschaltkreisen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-Lastpunktmodule
Welchen Montageansatz erfordert es auf einer Platine?
Er wird in einem oberflächenmontierten PQFN-Gehäuse geliefert, das für die Befestigung von gelöteten Leiterplatten und die Wärmeleitung durch das Gehäuse-Landmuster ausgelegt ist.
Wie wirkt sich sein thermischer Bereich auf den Einsatz aus?
Ausgelegt für einen Temperaturbereich von -55 bis 150 °C, kann es in Umgebungen mit extremen Umgebungs- und erhöhten Sperrschichttemperaturen eingesetzt werden, vorbehaltlich eines geeigneten thermischen Designs.
Welche Gate-Antriebsaspekte gelten für die Schaltleistung?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 25 nC sollten die Entwickler genügend Gate-Drive-Strom liefern, um gezielte Übergangsgeschwindigkeiten zu erreichen und gleichzeitig EMI zu bewältigen.
Ist er für den Betrieb im Enhancement-Modus konfiguriert?
Das Gerät verwendet einen N-Kanal-Leitungsmodus, der für Low-Side- und High-Side-Konfigurationen geeignet ist, wenn es mit geeigneten Gate-Antrieben und Pegelverschiebungen gepaart ist.