Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 62 A 69 W, 8-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

3.065,00 €

(ohne MwSt.)

3.645,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +0,613 €3.065,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-4342
Herst. Teile-Nr.:
BSZ096N10LS5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

62A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.4 mm

Länge

3.4mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet den neuesten R DS(on) eines Trench MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.

Er ist ideal für Hot-Swap- und e-fuse-Anwendungen

Verwandte Links