Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 40 A 52 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
214-4339
Herst. Teile-Nr.:
BSZ034N04LSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.4 mm

Höhe

1.1mm

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon Power MOSFET ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung und schnellschaltender DC/DC-Wandler verwendet werden.

Er bietet eine hohe Systemeffizienz

Es wurde zu 100 % auf Lawinenbildung getestet

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