Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 40 A 50 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 214-4345
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ110N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Breite | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.4mm | ||
Breite 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 80 V maximale Drain-Source-Spannung, 40 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ110N08NS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein leistungsstarkes N-Kanal-Halbleitergerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltung und -umwandlung in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für industrielle Aufgaben geeignet ist, und bietet eine robuste Strombelastbarkeit mit geringem Spannungsabfall, um effiziente Leistungsstufen und kompakte thermische Designs zu unterstützen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassspannung von 80 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• Niedrige Rds(on) von 11 mΩ reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• 40 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 15 nC typische Gate-Ladung für schnelle, effiziente Gate-Schaltung
• Die Verlustleistung von 50 W ermöglicht einen erheblichen Wärmemanagement
• Die Durchlassspannung von 1,2 V minimiert die Leitungsverluste der Diode
• Niedrige Rds(on) von 11 mΩ reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• 40 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 15 nC typische Gate-Ladung für schnelle, effiziente Gate-Schaltung
• Die Verlustleistung von 50 W ermöglicht einen erheblichen Wärmemanagement
• Die Durchlassspannung von 1,2 V minimiert die Leitungsverluste der Diode
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für Hochstrom-Motor-Antriebsstufen
• Wird mit DC/DC-Wandlungsmodulen in Telekommunikationsgeräten verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Ladesysteme verwendet werden
• Geeignet für Hochleistungs-LED-Treiber-Schaltkreise
• Ideal für Hochstrom-Motor-Antriebsstufen
• Wird mit DC/DC-Wandlungsmodulen in Telekommunikationsgeräten verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Ladesysteme verwendet werden
• Geeignet für Hochleistungs-LED-Treiber-Schaltkreise
Welches Befestigungsformat ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?
Er wird in einem PQFN-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist und ein flaches Leiterplatten-Erdungsmuster und thermische Leitungen für die Wärmeübertragung erfordert.
Wie bewältigt das Gerät während des Betriebs thermische Extreme?
Er ist für den Betrieb bei Sperrschichttemperaturen von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen industriellen Temperaturprofilen.
Welche Überlegungen zum Gate-Drive werden empfohlen?
Die maximale Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 20 V und die typische Gesamt-Gate-Ladung beträgt 15 nC, daher wird ein Antrieb mit schneller Aufladung/Entladung und geeigneter Anstiegsregelung empfohlen.
Welche Leitungscharakteristik wirkt sich auf das thermische PCB-Design aus?
Sein niedriger Drain-Source-Widerstand von 11 mΩ diktiert geringere I2R-Verluste, wodurch der Schwerpunkt auf der Verwaltung von Schalt- und Gehäuse-Thermelausstoßpfaden verschoben wird.