Infineon CoolMOS™ CE IPD80R1K4CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3,9 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 214-4396
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R1K4CEATMA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer VPE à 15)
0,975 €
(ohne MwSt.)
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(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,975 € | 14,625 € |
| 75 - 135 | 0,926 € | 13,89 € |
| 150 - 360 | 0,887 € | 13,305 € |
| 375 - 735 | 0,847 € | 12,705 € |
| 750 + | 0,789 € | 11,835 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 214-4396
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R1K4CEATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser Infineon 800 V Cool MOS CE MOSFET verfügt über eine Hochspannungsfähigkeit, die Sicherheit mit Leistung und Robustheit kombiniert, um stabile Designs mit höchstem Wirkungsgrad zu ermöglichen.
Er ist RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,9 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
| Serie | CoolMOS™ CE |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,4 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.9V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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