Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 3.9 A 63 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-4396
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R1K4CEATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

CoolMOS CE

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.35mm

Länge

6.65mm

Breite

6.42 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon 800 V Cool MOS CE MOSFET verfügt über eine Hochspannungsfähigkeit, die Sicherheit mit Leistung und Robustheit kombiniert, um stabile Designs mit höchstem Wirkungsgrad zu ermöglichen.

Er ist RoHS-konform

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