Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 7 W, 3-Pin IPN80R1K4P7ATMA1 SOT-223

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RS Best.-Nr.:
214-4402
Herst. Teile-Nr.:
IPN80R1K4P7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

800V CoolMOS P7

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

7W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.8mm

Breite

3.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.7mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 800 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Fly-Back-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung.

Es verfügt über ein vollständig optimiertes Portfolio

Es hat geringere Montagekosten

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