Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 1.5 A 6 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 219-5997
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN80R4K5P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.7mm | |
| Breite | 3.7mm | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.7mm | ||
Breite 3.7mm | ||
Höhe 1.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS P7 Serie MOSFET, 800 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPN80R4K5P7ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben entwickelt wurde. Er arbeitet zuverlässig in einem breiten Umgebungsbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste Spannungsblockierung und eine mäßige Dauerstrombelastbarkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 800 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsanwendungen
• 450 mΩ RDS(on) begrenzt Leitungsverluste beim Schalten
• Typische Gate-Ladung mit 4 nC reduziert den Energiebedarf des Antriebs
• 1.5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Steady-State-Lasten
• Maximale Verlustleistung von 6 W bewältigt thermische Belastungen während des Betriebs
• Eine Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
• 450 mΩ RDS(on) begrenzt Leitungsverluste beim Schalten
• Typische Gate-Ladung mit 4 nC reduziert den Energiebedarf des Antriebs
• 1.5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Steady-State-Lasten
• Maximale Verlustleistung von 6 W bewältigt thermische Belastungen während des Betriebs
• Eine Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Offline-Stromversorgungen, die hohe Spannungen bewältigen
• Ideal für Aufwärtswandler in industriellen Systemen
• Wird für Schaltmodus-Leistungsstufen mit moderaten Strömen verwendet
• Kann für Halbleiterprüfvorrichtungen verwendet werden, die 800 V erfordern
• Wird mit oberflächenmontierten Baugruppen auf kompakten Leiterplatten verwendet
• Ideal für Aufwärtswandler in industriellen Systemen
• Wird für Schaltmodus-Leistungsstufen mit moderaten Strömen verwendet
• Kann für Halbleiterprüfvorrichtungen verwendet werden, die 800 V erfordern
• Wird mit oberflächenmontierten Baugruppen auf kompakten Leiterplatten verwendet
In welchen Umgebungstemperaturen kann er betrieben werden?
Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und eignet sich somit für extreme thermische Umgebungen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die thermische Leistung aus?
Das oberflächenmontierbare SOT‐223-Gehäuse bietet eine geringe Grundfläche und ermöglicht gleichzeitig eine Wärmeableitung, die bei ordnungsgemäßer Montage mit einer maximalen Verlustleistung von 6 W kompatibel ist.
Welche Gate-Drive-Bedenken sind erforderlich?
Das Gerät nimmt bis zu ±20 V zwischen Gate und Quelle auf und benötigt in der Regel eine Treiberenergie, die einer Gesamt-Gate-Ladung von 4 nC entspricht, um eine schnelle Schaltung zu ermöglichen.
Welche Schalttopologie profitiert am besten von ihren Eigenschaften?
Der Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsbetrieb macht ihn für Topologien geeignet, die eine 800-V-Blockierung mit mäßiger Dauerstromverarbeitung erfordern.
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