Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 16 A 7 W, 3-Pin IPN60R600P7SATMA1 SOT-223

Der MOSFET Cool MOS P7 Super Junction (SJ) von Infineon wurde entwickelt, um typische Herausforderungen auf dem SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme zu bewältigen, indem er eine ausgezeichnete Leistung und Benutzerfreundlichkeit bietet, die verbesserte Formfaktoren und eine verbesserte Preiswettbewerbsfähigkeit ermöglicht. Das SOT-223-Gehäuse ist eine kostengünstige Eins-zu-Eins-Drop-In-Alternative zu DPAK, die auch bei einigen Designs eine Reduzierung des Platzbedarfs ermöglicht. Er kann auf einer typischen DPAK-Abmessung platziert werden und weist eine vergleichbare thermische Leistung auf. Diese Kombination macht Cool MOS P7 in SOT-223 perfekt für seine Zielanwendungen. Die Kühle MOS P7 mit 700 V und 800 V sind für Fly-Back-Topologien optimiert. Der MOSFET 600 V Cool MOS P7 SJ ist für harte sowie für Schalttopologien (Fly Back, PFC und LLC) geeignet.

Einfache Bedienung und schnelles Design - durch geringe Klingelneigung Und Verwendung