Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 16 A 7 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
220-7436
Herst. Teile-Nr.:
IPN60R600P7SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS P7

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9nC

Maximale Verlustleistung Pd

7W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Breite

3.7 mm

Länge

6.7mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.8mm

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET Cool MOS P7 Super Junction (SJ) von Infineon wurde entwickelt, um typische Herausforderungen auf dem SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme zu bewältigen, indem er eine ausgezeichnete Leistung und Benutzerfreundlichkeit bietet, die verbesserte Formfaktoren und eine verbesserte Preiswettbewerbsfähigkeit ermöglicht. Das SOT-223-Gehäuse ist eine kostengünstige Eins-zu-Eins-Drop-In-Alternative zu DPAK, die auch bei einigen Designs eine Reduzierung des Platzbedarfs ermöglicht. Er kann auf einer typischen DPAK-Abmessung platziert werden und weist eine vergleichbare thermische Leistung auf. Diese Kombination macht Cool MOS P7 in SOT-223 perfekt für seine Zielanwendungen. Die Kühle MOS P7 mit 700 V und 800 V sind für Fly-Back-Topologien optimiert. Der MOSFET 600 V Cool MOS P7 SJ ist für harte sowie für Schalttopologien (Fly Back, PFC und LLC) geeignet.

Einfache Bedienung und schnelles Design - durch geringe Klingelneigung Und Verwendung

Über PFC- und PWM-Stufen hinweg

Vereinfachtes Wärmemanagement durch geringe Schaltungs- und Leitungsgeschwindigkeit

Verluste

Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte, die durch den Einsatz von Smit ermöglicht werden

Geringerer Platzbedarf und höhere Fertigungsqualität durch>2 kVESD

Schutz

Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen und Leistungsbereichen

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