Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 112 A 214 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

117,50 €

(ohne MwSt.)

140,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 27. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 502,35 €117,50 €
100 - 2002,233 €111,65 €
250 +2,115 €105,75 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-4408
Herst. Teile-Nr.:
IPP076N15N5AKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

112A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

15.93 mm

Länge

10.2mm

Automobilstandard

Nein

Der 600-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.

Er verfügt über eine robuste Gehäusediode

Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit

Verwandte Links