Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 72 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

50,90 €

(ohne MwSt.)

60,55 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 501,018 €50,90 €
100 - 2000,814 €40,70 €
250 - 4500,773 €38,65 €
500 - 9500,733 €36,65 €
1000 +0,702 €35,10 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-4417
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R280P7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Verlustleistung Pd

72W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.4mm

Breite

15.93 mm

Länge

10.2mm

Automobilstandard

Nein

Der 600-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.

Er verfügt über eine robuste Gehäusediode

Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit

Verwandte Links