Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

51,84 €

(ohne MwSt.)

61,68 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 240 Einheit(en) mit Versand ab 19. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 301,728 €51,84 €
60 - 1201,642 €49,26 €
150 - 2701,572 €47,16 €
300 - 5701,503 €45,09 €
600 +1,40 €42,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
218-3086
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R180P7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

600V CoolMOS P7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Verlustleistung Pd

72W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

21.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.21 mm

Länge

16.13mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600 V CoolMOS. Der 600-V-CoolMOS-P7-Super Junction (SJ)-MOSFET ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess.

Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC) Aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit

Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten

Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte

Verwandte Links