Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin IPW60R180P7XKSA1 TO-247

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RS Best.-Nr.:
218-3087
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R180P7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Verlustleistung Pd

72W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

21.1mm

Länge

16.13mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.21 mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600 V CoolMOS. Der 600-V-CoolMOS-P7-Super Junction (SJ)-MOSFET ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess.

Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC) Aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit

Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten

Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte

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