Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 96 A 375 W, 8-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:
214-4423
Herst. Teile-Nr.:
IPT111N20NFDATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

96A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

HSOF

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

10.58 mm

Länge

10.1mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon OptiMOS 3 MOSFET ist die perfekte Lösung für Hochleistungsanwendungen, bei denen höchste Effizienz, hervorragendes EMI-Verhalten sowie optimales thermisches Verhalten und Platzersparnis erforderlich sind.

Er ist RoHS-konform

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