Infineon OptiMOS 3 IPT111N20NFDATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 96 A, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 214-4423
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT111N20NFDATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser Infineon OptiMOS 3 MOSFET ist die perfekte Lösung für Hochleistungsanwendungen, bei denen höchste Effizienz, hervorragendes EMI-Verhalten sowie optimales thermisches Verhalten und Platzersparnis erforderlich sind.
Er ist RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 96 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V |
| Serie | OptiMOS 3 |
| Gehäusegröße | HSOF-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0111 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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