Infineon OptiMOS IPT030N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 237 A, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 236-3669
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT030N12N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET ist die ideale Wahl für batteriebetriebene Geräte mit optimaler Balance zwischen zusätzlicher Spannungsabbruchspanne und niedrigem Betriebswiderstand. Er wird in leichten Elektrofahrzeugen, Niederspannungsantrieben und Batterie betriebenen Werkzeugen verwendet.
Hohe Leistungsdichte und verbessertes Wärmemanagement
Weniger Platinenplatz erforderlich
Hohe Systemeffizienz und weniger Parallelschaltung erforderlich
Weniger Platinenplatz erforderlich
Hohe Systemeffizienz und weniger Parallelschaltung erforderlich
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 237 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 120 V |
| Serie | OptiMOS |
| Gehäusegröße | HSOF-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,003 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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