Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 120 V / 237 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
236-3669
Herst. Teile-Nr.:
IPT030N12N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

237A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Serie

OptiMOS™

Gehäusegröße

HSOF-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

158nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

10.58 mm

Länge

10.1mm

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET ist die ideale Wahl für batteriebetriebene Geräte mit optimaler Balance zwischen zusätzlicher Spannungsabbruchspanne und niedrigem Betriebswiderstand. Er wird in leichten Elektrofahrzeugen, Niederspannungsantrieben und Batterie betriebenen Werkzeugen verwendet.

Hohe Leistungsdichte und verbessertes Wärmemanagement

Weniger Platinenplatz erforderlich

Hohe Systemeffizienz und weniger Parallelschaltung erforderlich

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