Infineon OptiMOS™ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 120 V / 237 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 236-3670
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT030N12N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPT030N12N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 237A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | HSOF-8 | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 158nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.58mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 237A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße HSOF-8 | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 158nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.58mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET ist die ideale Wahl für batteriebetriebene Geräte mit optimaler Balance zwischen zusätzlicher Spannungsabbruchspanne und niedrigem Betriebswiderstand. Er wird in leichten Elektrofahrzeugen, Niederspannungsantrieben und Batterie betriebenen Werkzeugen verwendet.
Hohe Leistungsdichte und verbessertes Wärmemanagement
Weniger Platinenplatz erforderlich
Hohe Systemeffizienz und weniger Parallelschaltung erforderlich
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