Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 120 V / 237 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

10,10 €

(ohne MwSt.)

12,02 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.872 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 185,05 €10,10 €
20 - 484,555 €9,11 €
50 - 984,24 €8,48 €
100 - 1983,94 €7,88 €
200 +3,69 €7,38 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
236-3670
Herst. Teile-Nr.:
IPT030N12N3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

237A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Gehäusegröße

HSOF-8

Serie

OptiMOS™

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

158nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.58 mm

Länge

10.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET ist die ideale Wahl für batteriebetriebene Geräte mit optimaler Balance zwischen zusätzlicher Spannungsabbruchspanne und niedrigem Betriebswiderstand. Er wird in leichten Elektrofahrzeugen, Niederspannungsantrieben und Batterie betriebenen Werkzeugen verwendet.

Hohe Leistungsdichte und verbessertes Wärmemanagement

Weniger Platinenplatz erforderlich

Hohe Systemeffizienz und weniger Parallelschaltung erforderlich

Verwandte Links

Recently viewed