Infineon OptiMOS™ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 120 V / 237 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 236-3670
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT030N12N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,15 € | 12,30 € |
| 20 - 48 | 5,545 € | 11,09 € |
| 50 - 98 | 5,16 € | 10,32 € |
| 100 - 198 | 4,80 € | 9,60 € |
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- IPT030N12N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 237A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Gehäusegröße | HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 158nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.58mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 237A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Gehäusegröße HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 158nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.58mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET ist die ideale Wahl für batteriebetriebene Geräte mit optimaler Balance zwischen zusätzlicher Spannungsabbruchspanne und niedrigem Betriebswiderstand. Er wird in leichten Elektrofahrzeugen, Niederspannungsantrieben und Batterie betriebenen Werkzeugen verwendet.
Hohe Leistungsdichte und verbessertes Wärmemanagement
Weniger Platinenplatz erforderlich
Hohe Systemeffizienz und weniger Parallelschaltung erforderlich
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