Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 523 A 375 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-8962
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFSA8409-7TRL
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

523A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.69mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

305nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Länge

10.54mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon HEXFET Leistungs-MOSFETs verwenden die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind 175 °C Sperrschichtbetriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte sich wiederholende Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Neuer extrem niedriger Einschaltwiderstand

Kfz-zugelassen

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