Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7.2 A 68 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

710,00 €

(ohne MwSt.)

845,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 30. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,284 €710,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-9044
Herst. Teile-Nr.:
IPD65R1K0CEAUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS CE

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.

Einfach zu verwenden/zu treiben

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Zugelassen für Standardanwendungen

Verwandte Links