Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 51 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
222-4670
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R280CFD7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Maximale Verlustleistung Pd

51W

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22mm

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

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