Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 1.9 A 18 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-9050
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R3K3P7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS P7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

18W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.22 mm

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die neueste 800-V-CoolMOS-P7-Serie von Infineon setzt neue Maßstäbe in 800-V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit modernster Art von Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18-jährigen bahnbrechenden Innovation der Super-Abzweigtechnologie von Infineon ergibt. Diese sind einfach zu steuern und parallel zu betreiben, was Designs mit höherer Leistungsdichte, BOM-Einsparungen und geringere Montagekosten ermöglicht. Diese werden für harte und weiche Schalt-Fly-Back-Topologien für LED-Beleuchtung, Ladegeräte und Adapter mit geringer Leistungsaufnahme, Audio, AUX-Leistung und industrielle Leistung empfohlen.

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