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    Infineon CoolMOS™ P7 IPD80R3K3P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1,9 A, 3-Pin TO-252

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    RS Best.-Nr.:
    214-9050
    Herst. Teile-Nr.:
    IPD80R3K3P7ATMA1
    Marke:
    Infineon

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.1,9 A
    Drain-Source-Spannung max.800 V
    SerieCoolMOS™ P7
    GehäusegrößeTO-252
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.3,3 O
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.3.5V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi

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