Infineon Doppelt OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 100 V Erweiterung / 16 A 29 W, 8-Pin TDSON

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

1.830,00 €

(ohne MwSt.)

2.180,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +0,366 €1.830,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-9057
Herst. Teile-Nr.:
IPG16N10S461AATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

61mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

29W

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5.15mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Die neue OptiMOS-T2-Serie von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Reduzierung und elektrischen Antrieben. Die neue OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. Der Dual N-Kanal Normal Level - Enhancement Mode ist für automatische optische Inspektion (AOI) geeignet. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu erfüllen und zu übertreffen.

Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert

100 % Lawinenprüfung

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

Verwandte Links