Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 360 A 417 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-9123
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF40SC240ARMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
19,38 €
(ohne MwSt.)
23,06 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 2.990 Einheit(en) mit Versand ab 17. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,876 € | 19,38 € |
| 25 - 45 | 3,296 € | 16,48 € |
| 50 - 120 | 3,062 € | 15,31 € |
| 125 - 245 | 2,868 € | 14,34 € |
| 250 + | 2,636 € | 13,18 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9123
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF40SC240ARMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 360A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 417W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 366nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 9.45 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.2mm | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 360A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 417W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 366nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 9.45 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.2mm | ||
Höhe 4.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die neuesten 40-V-starken IRFET-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon sind sowohl für hohe Ströme als auch für niedrige RDS(on) optimiert und sind damit die ideale Lösung für batteriebetriebene Anwendungen mit hohem Strom Batterie. Er bietet Entwurfsflexibilität mit Industriestandard-Verpackung. Er ist in der Lage, Störfestigkeit gegen falsches Einschalten in lauten Umgebungen zu bieten.
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
Hohe Strombelastbarkeit
Verwandte Links
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin ISOMETRISCH
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
