Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 360 A 417 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-9123
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF40SC240ARMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
21,57 €
(ohne MwSt.)
25,67 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 2.990 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,314 € | 21,57 € |
| 25 - 45 | 3,666 € | 18,33 € |
| 50 - 120 | 3,41 € | 17,05 € |
| 125 - 245 | 3,19 € | 15,95 € |
| 250 + | 2,934 € | 14,67 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9123
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF40SC240ARMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 360A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 417W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 366nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Breite | 9.45 mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 360A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 417W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 366nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.4mm | ||
Breite 9.45 mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die neuesten 40-V-starken IRFET-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon sind sowohl für hohe Ströme als auch für niedrige RDS(on) optimiert und sind damit die ideale Lösung für batteriebetriebene Anwendungen mit hohem Strom Batterie. Er bietet Entwurfsflexibilität mit Industriestandard-Verpackung. Er ist in der Lage, Störfestigkeit gegen falsches Einschalten in lauten Umgebungen zu bieten.
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
Hohe Strombelastbarkeit
Verwandte Links
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin IRFS7530TRL7PP TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin IRFS7534TRL7PP TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFS7534TRLPBF TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
