Infineon StrongIRFET IRF60SC241ARMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 363 A, 7-Pin TO-263-7

RS Best.-Nr.:: 220-7472
Herst. Teile-Nr.:: IRF60SC241ARMA1
Marke:: Infineon

Infineon StrongIRFET IRF60SC241ARMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 363 A, 7-Pin TO-263-7

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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

3,575 €

(ohne MwSt.)

4,254 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	3,575 €	7,15 €
20 - 48	3,325 €	6,65 €
50 - 98	3,11 €	6,22 €
100 - 198	2,895 €	5,79 €
200 +	2,68 €	5,36 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 220-7472
Herst. Teile-Nr.:: IRF60SC241ARMA1
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Datasheet - IRF60SC241ARMA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die neuesten 60-V-starken IRFET-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon sind sowohl für hohe Ströme als auch für niedrige RDS(on) optimiert und sind damit die ideale Lösung für batteriebetriebene Anwendungen mit hohem Strom Batterie.

Niedriger RDS (EIN)
Hohe Strombelastbarkeit
Standard-Industriegehäuse
Flexible Pinbelegung
Optimiert für 10-V-Gate-Ansteuerung
Reduzierung der Leitungsverluste
Erhöhte Leistungsdichte
Direkter Ersatz für vorhandene Geräte
Bietet hohe Flexibilität beim Design
Bietet Immunität gegen falsches Einschalten in lauten Umgebungen

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	363 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	StrongIRFET
Gehäusegröße	TO-263-7
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	0,00095 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon StrongIRFET IRF60SC241ARMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 363 A, 7-Pin TO-263-7

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