Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 363 A 2.4 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7472
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF60SC241ARMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
7,29 €
(ohne MwSt.)
8,676 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 30 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- Zusätzlich 1.370 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,645 € | 7,29 € |
| 20 - 48 | 3,39 € | 6,78 € |
| 50 - 98 | 3,17 € | 6,34 € |
| 100 - 198 | 2,955 € | 5,91 € |
| 200 + | 2,735 € | 5,47 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7472
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF60SC241ARMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 363A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.4W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 311nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.45 mm | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 363A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.4W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 311nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.45 mm | ||
Höhe 4.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die neuesten 60-V-starken IRFET-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon sind sowohl für hohe Ströme als auch für niedrige RDS(on) optimiert und sind damit die ideale Lösung für batteriebetriebene Anwendungen mit hohem Strom Batterie.
Niedriger RDS (EIN)
Hohe Strombelastbarkeit
Standard-Industriegehäuse
Flexible Pinbelegung
Optimiert für 10-V-Gate-Ansteuerung
Reduzierung der Leitungsverluste
Erhöhte Leistungsdichte
Direkter Ersatz für vorhandene Geräte
Bietet hohe Flexibilität beim Design
Bietet Immunität gegen falsches Einschalten in lauten Umgebungen
Verwandte Links
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin ISOMETRISCH
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-262