Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 40 A 89 W, 3-Pin ISOMETRISCH

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RS Best.-Nr.:
220-7473
Herst. Teile-Nr.:
IRF6613TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

StrongIRFET

Gehäusegröße

ISOMETRISCH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Länge

6.35mm

Höhe

0.68mm

Breite

5.05 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

Hoher Nennstrom

Zweiseitige Kühlung

Niedrige Gehäusehöhe von 0,7 mm

Gehäuse mit niedriger parasitärer (1-2 NH) Induktivität

Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Industriestandard-Qualifikationsebene

Hohe Strombelastbarkeit

Optimale Wärmeleistung

Kompakter Formfaktor

Hoher Wirkungsgrad

Umweltfreundlich

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