Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 522 A 375 W, 7-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 215-2454P
Herst. Teile-Nr.:: AUIRFS8409-7TRL
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 522 A 375 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:: 215-2454P
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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	522A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.75mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	305nC
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 522A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.75mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 305nC
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - AUIRFS8409-7TRL

Der Infineon Automotive DirectFET ® Power MOSFET verfügt über eine maximale Ableitquellspannung von 60 V mit einem maximalen Dauerablassstrom von 68 A in einem 7-poligen D2-Pak Gehäuse. Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand im par Silizium-Bereich zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieser Designs sind 175 °C Sperrschicht-Betriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und Verbesserung der sich wiederholenden Lawineneinstufung. Diese Funktion kombiniert, um dieses Produkt zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und in einer Vielzahl anderer Anwendungen zu machen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Neuer extrem niedriger Einschaltwiderstand

Fast Switching

Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt

Ohne Leitung

Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 522 A 375 W, 7-Pin TO-263

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