Infineon 600V CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 215-2497
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R180C7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | 600V CoolMOS C7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 15.88mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Länge | 10.31mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie 600V CoolMOS C7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 15.88mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.57 mm | ||
Länge 10.31mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 600 V Cool MOS TM C7 Super Junction (SJ) MOSFET-Serie bietet eine ∼50 % Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum Cool MOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC, TTF und anderen hart schaltenden Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte. Effizienz- und TCO-Anwendungen (Gesamtbetriebskosten) wie Hyper-Rechenzentren und hocheffiziente Telekommunikationsgleichrichter (>96 %) profitieren von der höheren Effizienz, die Cool MOS TM C7 bietet. Es können Verstärkungsfaktoren von 0,3 % bis 0,7 % in PFC- und 0,1 % in LLC-Topologien erreicht werden. Im Fall eines 2,5-kW-Servernetzteils beispielsweise kann die Verwendung von 600-V-Cool-MOS-C7-SJ-MOSFETs in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse zu einer Senkung der Energiekosten von ∼10 % bei PSU-Energieverlust führen.
Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E oss
Klassenbeste Leistung Q G*R DS(on)
Erhöhte Schaltfrequenz
Bestes R (on)*A der Welt
Robuste Gehäusediode
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