Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-9117
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
21,74 €
(ohne MwSt.)
25,87 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 185 Einheit(en) mit Versand ab 28. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,348 € | 21,74 € |
| 25 - 45 | 4,232 € | 21,16 € |
| 50 - 120 | 4,116 € | 20,58 € |
| 125 - 245 | 4,01 € | 20,05 € |
| 250 + | 3,914 € | 19,57 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9117
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.13mm | |
| Breite | 5.21mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.13mm | ||
Breite 5.21mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V CoolMOS C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Diese sind für harte und weiche Schaltfunktionen geeignet. Geeignet für Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Solar.
Geeignet für hartes und weiches Schalten
Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS C7 N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS C7 N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS C7 N-Kanal 4-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 N-Kanal 4-Pin TO-247
