Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin IPW60R180C7XKSA1 TO-247

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RS Best.-Nr.:
214-9117
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R180C7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS C7

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Normen/Zulassungen

No

Höhe

21.1mm

Breite

5.21 mm

Länge

16.13mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V CoolMOS C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Diese sind für harte und weiche Schaltfunktionen geeignet. Geeignet für Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Solar.

Geeignet für hartes und weiches Schalten

Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC

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