Infineon CoolMOS™ C7 IPW65R190C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 13 A 72 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 897-7630
Herst. Teile-Nr.:: IPW65R190C7XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ C7 IPW65R190C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 13 A 72 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 897-7630
Herst. Teile-Nr.:: IPW65R190C7XKSA1
Marke:: Infineon

IPW65R190C7 CoolMOS C7 Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	13 A
Drain-Source-Spannung max.	700 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	CoolMOS™ C7
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	190 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	72 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	21.1mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	23 nC @ 10 V
Länge	16.13mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	0.9V
Höhe	5.21mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon CoolMOS™ C7 IPW65R190C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 13 A 72 W, 3-Pin TO-247

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7

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