Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 75 A 446 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 897-7624
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R019C7FKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 19mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 446W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 215nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 19mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 446W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 215nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Breite 21.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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