Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 6.5 A 34.7 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 215-2553
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R750P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,319 € | 23,93 € |
| 150 - 300 | 0,246 € | 18,45 € |
| 375 - 675 | 0,233 € | 17,48 € |
| 750 - 1800 | 0,227 € | 17,03 € |
| 1875 + | 0,222 € | 16,65 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2553
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R750P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 750mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34.7W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34.7W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 700V Cool MOS TM P7 Super Junction MOSFET-Serie ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet im Vergleich zu heute verwendeten Super-Junction-Technologien grundlegende Leistungsverbesserungen. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können. Die neueste CoolMOS\P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist
Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode
Geringe Schaltverluste (Eoss)
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