Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 215-2571
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1310NSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
678,40 €
(ohne MwSt.)
807,20 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 3.200 Einheit(en) mit Versand ab 06. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,848 € | 678,40 € |
| 1600 + | 0,806 € | 644,80 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2571
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1310NSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 36mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | EIA 418 | |
| Höhe | 1.197in | |
| Länge | 14.173in | |
| Breite | 1.079 in | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 36mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen EIA 418 | ||
Höhe 1.197in | ||
Länge 14.173in | ||
Breite 1.079 in | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Serie der fünften Generation des HEXFET von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im Siliziumbereich zu erreichen. Diese Vorteile, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFET bekannt ist und ein Gerät mit ausreichender Leistung bietet, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2pack ist ein SMD-Leistungspaket, das Matrizengrößen bis HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungskapazität und den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse. Das D2pack ist aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann in einer typischen SMD-Anwendung bis zu 2,0 W abführen.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Vollständig lawinengeprüft
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRF1310NSTRLPBF TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 7-Pin IRF2804STRL7PP TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRF1310NPBF TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFP150NPBF TO-247
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -55 V / -42 A 170 W TO-263