Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 250 V Erweiterung / 69 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 215-2573
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF250P225
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- IRF250P225
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 69A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.022Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 69A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.022Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Der Infineon Strong IRFETTM hat eine maximale Ablassquellenspannung von 250 V mit einem maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 69 A in einem TO-247AC-Gehäuse. Es hat Anwendungen wie Up- und Wechselrichteranwendungen, Halbbrücken- und Vollbrücken-Topologien und Resonanz-Modus-Netzteile.
Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA
Verbesserte Gehäuse-Diode dv/dt und di/dt-Fähigkeit
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