Infineon IMZC120 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 69 A 382 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- RS Best.-Nr.:
- 351-924
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 351-924
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 69A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 89nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 382W | |
| Durchlassspannung Vf | 5.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Breite | 16mm | |
| Länge | 23.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 69A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 89nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 382W | ||
Durchlassspannung Vf 5.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Breite 16mm | ||
Länge 23.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie IMZC120 von Infineon, 1200 V Drain-Source-Spannung, 69 A kontinuierlicher Drain-Strom – IMZC120R017M2HXKSA1
Merkmale und Vorteile:
• 69 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 45 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Maximale Verlustleistung von 382 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 89 nC optimiert die Schaltleistung
• Die VGS-Grenzspannung von 25 V gewährleistet Kompatibilität und Schutz des Gate-Antriebs
Anwendungsbereiche
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Leistungsstufen
• Wird mit Netzstromversorgungen verwendet, die eine hohe Verlustleistung erfordern
• Kann zum primären Schalten von Schaltnetzteilen verwendet werden
• Nützlich in Wechselrichtern und Speichersystemen für erneuerbare Energien
Welches Gehäuse erleichtert die Montage und die Wärmeableitung?
Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?
Welche Antriebsaspekte gelten für die Gate-Steuerung?
Gibt es anerkannte Fertigungs- oder Prüfstandards?
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