Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 69 A 382 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

21,77 €

(ohne MwSt.)

25,91 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
1 - 921,77 €
10 - 9919,60 €
100 +18,07 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
351-924
Herst. Teile-Nr.:
IMZC120R017M2HXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

69A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

IMZC120

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-U07

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

89nC

Durchlassspannung Vf

5.5V

Maximale Verlustleistung Pd

382W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Länge

23.5mm

Breite

16 mm

Automobilstandard

Nein

Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET 1200 V, 17 mΩ G2 im TO-247 4pin-Gehäuse mit hoher Kriechstromfestigkeit baut auf den Stärken der Generation 1-Technologie auf und bietet eine fortschrittliche Lösung für kostenoptimierte, effiziente, kompakte, einfach zu entwickelnde und zuverlässige Systeme. Er verbesserte die Leistung sowohl im hart schaltenden Betrieb als auch bei weich schaltenden Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.

Kurzschlussfestigkeitszeit 2 μs

Benchmark-Gate-Schwellenspannung 4,2 V

Robust gegen parasitäres Einschalten

Sehr geringe Schaltverluste

Engere VGS(th)-Parameterverteilung

Verwandte Links