Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 20 A 143 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- RS Best.-Nr.:
- 351-933
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R078M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
9,62 €
(ohne MwSt.)
11,45 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 240 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 9,62 € |
| 10 - 99 | 8,65 € |
| 100 - 499 | 7,98 € |
| 500 - 999 | 7,41 € |
| 1000 + | 6,63 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-933
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R078M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 204mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 5.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 143W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Länge | 23.5mm | |
| Breite | 16 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 204mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 5.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 143W | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Länge 23.5mm | ||
Breite 16 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET mit High-Creepage-Gehäuse baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie auf und bietet eine fortschrittliche Lösung für kostenoptimierte, effiziente, kompakte, einfach zu entwickelnde und zuverlässige Systeme. Er verbesserte die Leistung sowohl im hart schaltenden Betrieb als auch bei weich schaltenden Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.
Bessere Energieeffizienz
Optimierung der Kühlung
Höhere Leistungsdichte
Neue Robustheitsmerkmale
Sehr zuverlässig
Einfache Parallelisierung
Verwandte Links
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U02