Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 27 A 182 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- RS Best.-Nr.:
- 351-931
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
8,72 €
(ohne MwSt.)
10,38 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 13 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 237 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,72 € |
| 10 - 99 | 7,86 € |
| 100 - 499 | 7,25 € |
| 500 - 999 | 6,72 € |
| 1000 + | 6,02 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-931
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | IMZC120 | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-U07 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 53mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 5.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 182W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -10 to 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Länge | 23.5mm | |
| Breite | 16 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie IMZC120 | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-U07 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 53mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 5.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 182W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -10 to 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Länge 23.5mm | ||
Breite 16 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET mit High-Creepage-Gehäuse baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie auf und bietet eine fortschrittliche Lösung für kostenoptimierte, effiziente, kompakte, einfach zu entwickelnde und zuverlässige Systeme. Er verbesserte die Leistung sowohl im hart schaltenden Betrieb als auch bei weich schaltenden Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.
Bessere Energieeffizienz
Optimierung der Kühlung
Höhere Leistungsdichte
Neue Robustheitsmerkmale
Sehr zuverlässig
Einfache Parallelisierung
Verwandte Links
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U02