Infineon IMZC120 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 27 A 182 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- RS Best.-Nr.:
- 351-931
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
9,16 €
(ohne MwSt.)
10,90 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 237 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 9,16 € |
| 10 - 99 | 8,24 € |
| 100 - 499 | 7,60 € |
| 500 - 999 | 7,06 € |
| 1000 + | 6,32 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-931
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 53mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 182W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -10V, 25V | |
| Durchlassspannung Vf | 5.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 23.5mm | |
| Breite | 16mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 53mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 182W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -10V, 25V | ||
Durchlassspannung Vf 5.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 23.5mm | ||
Breite 16mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET mit High-Creepage-Gehäuse baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie auf und bietet eine fortschrittliche Lösung für kostenoptimierte, effiziente, kompakte, einfach zu entwickelnde und zuverlässige Systeme. Er verbesserte die Leistung sowohl im hart schaltenden Betrieb als auch bei weich schaltenden Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.
Bessere Energieeffizienz
Optimierung der Kühlung
Höhere Leistungsdichte
Neue Robustheitsmerkmale
Sehr zuverlässig
Einfache Parallelisierung
Verwandte Links
- Infineon IMZC120 N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon CoolSiC N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U02