Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 80 A 329 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07

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RS Best.-Nr.:
351-925
Herst. Teile-Nr.:
IMZC120R022M2HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

IMZC120

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-U07

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

5.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

71nC

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Maximale Verlustleistung Pd

329W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Länge

23.5mm

Breite

16 mm

Automobilstandard

Nein

Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET 1200 V, 22 mΩ G2 im TO-247 4pin-Gehäuse mit hoher Kriechstromfestigkeit baut auf den Stärken der Generation 1-Technologie auf und bietet eine fortschrittliche Lösung für kostenoptimierte, effiziente, kompakte, einfach zu entwickelnde und zuverlässige Systeme. Er verbesserte die Leistung sowohl im hart schaltenden Betrieb als auch bei weich schaltenden Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.

Kurzschlussfestigkeitszeit 2 μs

Benchmark-Gate-Schwellenspannung 4,2 V

Robust gegen parasitäres Einschalten

Sehr geringe Schaltverluste

Engere VGS(th)-Parameterverteilung

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