Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.6 A 2 W, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 215-2583P
Herst. Teile-Nr.:: IRF7311TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.6 A 2 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:: 215-2583P
Herst. Teile-Nr.:: IRF7311TRPBF
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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	29mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	0.72V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	18nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	2W
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	5mm
	Höhe	1.5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße SO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 0.72V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 2W
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 5mm
	Höhe 1.5mm
	Normen/Zulassungen No
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF7311TRPBF

Die Infineon Serie der fünften Generation des HEXFET von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im Siliziumbereich zu erreichen. Diese Vorteile, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFET bekannt ist und ein Gerät mit ausreichender Leistung bietet, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Kabelrahmen für verbesserte thermische Eigenschaften und Mehrfach-Matrize-Fähigkeit modifiziert und ist daher ideal für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen. Mit dieser Verbesserung können mehrere Geräte in einer Anwendung mit drastisch reduziertem Platinenplatz verwendet werden. Das Gehäuse ist für Dampfphase, Infrarot für Schwall-Lötverfahren ausgelegt.

Generation V-Technologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand

Oberflächenmontage

Vollständig lawinengeprüft

Zweifach-N-Kanal-MOSFET

Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.6 A 2 W, 8-Pin SO-8

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