Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 161 A 135 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9649
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM025NB04LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 161A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 135W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 112nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 3.81 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Länge | 6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 161A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 135W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 112nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 3.81 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Länge 6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft
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