Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 104 A 136 W, 8-Pin PDFN56

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RS Best.-Nr.:
216-9658
Herst. Teile-Nr.:
TSM045NB06CR
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

104A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PDFN56

Serie

TSM025

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

104nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

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