Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 46 A 83 W, 8-Pin PDFN56

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RS Best.-Nr.:
216-9697
Herst. Teile-Nr.:
TSM160N10LCR
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

46A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PDFN56

Serie

TSM025

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.2 mm

Länge

6.2mm

Normen/Zulassungen

RoHS 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

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