Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 28 A 56 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9709
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM280NB06LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
24,70 €
(ohne MwSt.)
29,40 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Wird eingestellt
- Letzte 2.500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,988 € | 24,70 € |
| 50 - 75 | 0,969 € | 24,23 € |
| 100 - 225 | 0,89 € | 22,25 € |
| 250 - 975 | 0,872 € | 21,80 € |
| 1000 + | 0,807 € | 20,18 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 216-9709
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM280NB06LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 28A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TSM025 | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 28mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 56W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 5.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TSM025 | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 28mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 56W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 5.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft
Verwandte Links
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal 8-Pin TSM150NB04CR PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal 8-Pin TSM150NB04LCR PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 644 A 107 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 161 A 135 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 161 A 135 W, 8-Pin TSM025NB04LCR PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 644 A 107 W, 8-Pin TSM025NB04CR PDFN56