Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 27 A, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9710
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM300NB06CR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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- 216-9710
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM300NB06CR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Dauer-Drainstrom max. | 27 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Serie | TSM025 | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 30 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Transistor-Werkstoff | Silicon | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Dauer-Drainstrom max. 27 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Serie TSM025 | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 30 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Transistor-Werkstoff Silicon | ||
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft