Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 42 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
217-2531
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R2K7C3AATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon CoolMOS TM C3A-Technologie wurde entwickelt, um den wachsenden Anforderungen höherer Systemspannungen im Bereich von Elektrofahrzeugen wie PHEVS und BEV gerecht zu werden.

Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit

Höhere Durchschlagsspannung

Hohe Spitzenstrombelastbarkeit

Kfz AEC Q101 zugelassen

Grünes Gehäuse (RoHS-konform)

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