Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 42 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

16,74 €

(ohne MwSt.)

19,92 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 4.620 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 +0,837 €16,74 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
217-2532
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R2K7C3AATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon CoolMOS TM C3A-Technologie wurde entwickelt, um den wachsenden Anforderungen höherer Systemspannungen im Bereich von Elektrofahrzeugen wie PHEVS und BEV gerecht zu werden.

Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit

Höhere Durchschlagsspannung

Hohe Spitzenstrombelastbarkeit

Kfz AEC Q101 zugelassen

Grünes Gehäuse (RoHS-konform)

Verwandte Links