Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 42 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
217-2533
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R360P7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

360mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.41mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon 800 V CoolMOS TM P7 Superjunction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Sperrwandler-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Diese neue Produktfamilie bietet bis zu 0,6 % Effizienzverstärkung und 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur im Vergleich zu ihrem Vorgänger sowie zu Wettbewerberteilen, die in typischen Flyback-Anwendungen getestet wurden. Es ermöglicht auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch geringere Schaltverluste und bessere DPAK R DS(on)-Produkte. Insgesamt hilft es den Kunden, BOM-Kosten zu sparen und den Montageaufwand zu reduzieren.

Best-in-Class FOM RDS(on) * Eoss; Reduzierte Qg, Ziss und Coss

Erstklassiger DPAK RDS(on)

Klassenbeste V(GS)th von 3 V und kleinste V(GS)th-Variation von ±0,5 V

Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz

Vollständig optimiertes Portfolio

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