Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 2.6 A 38 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
217-2576
Herst. Teile-Nr.:
IPS60R3K4CEAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

CoolMOS CE

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.7nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.82mm

Breite

2.4 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V CoolMOS TM CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.

Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)

Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)

Optimierte integrierte R g.

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