Infineon CoolMOS™ CE IPS65R1K0CEAKMA2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,2 A, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 214-9105
Herst. Teile-Nr.:: IPS65R1K0CEAKMA2
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ CE IPS65R1K0CEAKMA2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,2 A, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

0,261 €

(ohne MwSt.)

0,311 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
25 - 100	0,261 €	6,525 €
125 - 225	0,254 €	6,35 €
250 - 600	0,247 €	6,175 €
625 - 1225	0,241 €	6,025 €
1250 +	0,235 €	5,875 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 214-9105
Herst. Teile-Nr.:: IPS65R1K0CEAKMA2
Marke:: Infineon

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Datasheet - IPS65R1K0CEAKMA2

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.

Einfach zu verwenden/zu treiben
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Zugelassen für Standardanwendungen

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7,2 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
Serie	CoolMOS™ CE
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si

Infineon CoolMOS™ CE IPS65R1K0CEAKMA2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,2 A, 3-Pin IPAK (TO-251)

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