Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 7.2 A 37 W, 3-Pin IPS65R1K0CEAKMA2 TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 214-9105
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS65R1K0CEAKMA2
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
16,55 €
(ohne MwSt.)
19,70 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 1.450 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,662 € | 16,55 € |
| 125 - 225 | 0,643 € | 16,08 € |
| 250 - 600 | 0,628 € | 15,70 € |
| 625 - 1225 | 0,612 € | 15,30 € |
| 1250 + | 0,596 € | 14,90 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9105
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS65R1K0CEAKMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 37W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 2.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 37W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 2.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.
Einfach zu verwenden/zu treiben
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Zugelassen für Standardanwendungen
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin IPD65R1K0CEAUMA1 TO-252
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin IPS60R800CEAKMA1 TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin IPSA70R950CEAKMA1 TO-251